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宽幅DPSSL紫外激光直写系统iGrapher810
修改时间: 2009-05-22

   干涉光刻(interference lithography)是一种适合于从亚微米到纳米结构的、多功能、大面积图形快速制造技术。
   陈林森研究员带领的创新团队自主研发成功的“紫外激光直写干涉光刻设备iGrapher810”是一款用于微纳结构图形制造的高速激光光刻系统。

性能简介

iGrapher810具有在40"尺度上进行亚微米至纳米结构图形快速制造(Nano-structrure patterning)的性能。在光斑中通过多光束干涉技术调制了100nm以上周期与准周期结构(线条、点阵、蜂窝、随机线等),图形的制作时间取决于光斑像素的尺寸,与像素内部的微纳结构无关。

iGrapher810具有光斑形状变换、RGB和银色等颜色(空频)更换、360度旋转光学头等功能以及CCD监控自动伺服聚焦。在扫描方式上,有Raster Scan,line-by-line(矢量化), dot-by-dot运行模式。由于iGrapher的兼有并行处理与高速性能,对于大尺寸亚微米结构图形制造,iGrapher810更显技术优越性。通过更换单光束光学头,iGrapher810具有通常激光直写系统的各项功能,支持分辨率1um以上的任意结构掩膜图形直写。 可根据用户设计定制适合于纳米结构图形的激光直写光刻系统。 软件支持:自主研发的OVGraphicsV1.5,SVG writing1.0。支持ARR,DXF文档。图形支持:3D立体图形、光变图像、精密掩模等。

获奖情况:iGrapher810关键技术获得多项发明专利授权,“微结构高效光刻制作方法”,08年度教育部技术发明二等奖。

应用行业:微纳米图形、光子晶体;平板显示(导光板图形)、衍射图形制版、精密Ni网版掩模光刻、MEMS等。

主要性能

幅面

800mm x 610mm, 300mmx400mm

运行速度

0 - 500mm/s

特征线宽

200nm

周期结构

400nm(355nm) , 200nm(266nm)

重复定位精度

0.5um

图形像素分辨率

158-2540dpi

干涉像素可调范围

10-80um, 80- 300um

单光束光斑

1-5um, 5�10um, 10-100um

基板

1.0mm  - 10mm

激光波长

355nm or 266nm@20ns

软件要求

文档格式

DXF, GSDII,ARR

图形软件

AutoCAD, OVGraphics, HMP3.0

控制软件

SVG-Writer V1.0

应用领域

精密掩模

1-5um,5-10um

全息制版

200 nm � 20um

金属刻蚀

100mm/s

亚微米光子晶体

500mm/s

环境要求

工作温度

15℃-30℃

工作湿度

40%-60%

存储温度

10℃-50℃

存储湿度

40%-60%

1、SEM photos for 200nm dot-arrays  and grating

(a)4光束干涉的纳米结构点阵;(b)200nm凹点阵;(c)双光束干涉的周期结构

(d)单光束直写精密图形

2、Photo for Large format diffraction pattern of kinetic rings

3、3D  patterns with the different micro-structures

 
 

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